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深亚微米器件玻耳兹曼传输方程的实用解析模型

An Analytic Model of Boltzmann Equation in Extremely Scaled MOSFETs
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摘要 深亚微米MOSFET须应用玻耳兹曼传输模型。本文建立了一个基于物理假定的解析解模型,其特点是可以加入经典模型BSIM3v3,并通过模拟程序CMOSIS进行了模拟验证。 An analytic solution model of Boltzmann equation based on physics assumption in extremely scaled MOSFETs is developed and implemented in classical BSIM3v3 model.The CMOSIS is used for the simulation examination.
作者 童建农 邹雪城 沈绪榜
机构地区 华中科技大学IC设计中心
出处 《计算机与数字工程》 2004年第5期4-7,共4页 Computer & Digital Engineering
关键词 MOSFET 玻耳兹曼传输方程 速度过冲效应 BSIM3模型 MOSFET,Boltzmann equation,velocity overshoot,BSI M3
分类号 TN403 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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计算机与数字工程
2004年 第5期

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