BLF5G22-100：LDMOS RF功率管
出处
《世界电子元器件》
2004年第7期24-24,共1页
Global Electronics China
-
1飞思卡尔推出覆盖全部无线基站频段的RF功率LDMOS晶体管[J].单片机与嵌入式系统应用,2011,11(6):83-83.
-
2飞思卡尔推出覆盖全部无线基站频段的RF功率LDMOS晶体管[J].广播与电视技术,2011,38(6):118-118.
-
3恩智浦Gen8＋LDMOSRF功率晶体管推动TD-LTE通讯变革[J].中国集成电路,2013,22(7):6-6.
-
4飞思卡尔450WRF功率晶体管为UHF广播应用[J].电子与电脑,2008(5):70-70.
-
5恩智浦Gen8+LDMOSRF功率晶体管推动TD-LTE通信变革[J].电信技术,2013(6):79-79.
-
6RF功率晶体管[J].通讯世界,2005(7):88-88.
-
7辛风格.RF功率晶体管封装材料从陶瓷转为塑料[J].电子产品与技术,2004(5):45-48.
-
8飞思卡尔半导体为GSM EDGE无线网络扩大RF功率晶体管产品阵容[J].电子与电脑,2009(7):72-72.
-
9MRF6VP3450H：RF功率晶体管[J].世界电子元器件,2008(6):52-52.
-
10恩智浦打造完善的TD-LTE LDMOS产品组合[J].数字通信世界,2013(7):31-31.
;
