适合长波应用的Si／SiGe多量子阱集成波导光电探测器
出处
《红外》
CAS
1993年第9期7-12,共6页
Infrared
-
1谢孟贤,陈勇.Si／SiGe异质结及其器件[J].微电子技术,1993,21(1):7-18.
-
2马坚.新颖实用的长波数字信号收发芯片[J].实用无线电,1994(1):14-15.
-
3晓晔.极高电子迁移率Si／SiGe调制掺杂异质结[J].电子材料快报,1995(7):8-9.
-
4陈福深.光通信中的LiNbO_3集成波导电光器件[J].压电与声光,1991,13(2):5-11.
-
5Poll.,MA,艾恕.长波长光通信用半导体材料技术动向[J].光纤通信,1990(2):88-95.
-
6程开富.长波红外焦平面阵列的进展[J].激光与红外,1992,22(3):19-24.
-
7王金义,杜冰,邓金程,侯清润,李美荣.长波碲镉汞材料的低温退火[J].激光与红外,1995,25(1):44-47.
-
8何正福.InGaAs／InP长波长Pin光电二极管的特性[J].光纤通信,1990(2):54-63.
-
9任延同.长波红外成像HgCdTe和GaAs／GaAlAs技术评价[J].光机电世界,1993,10(9):33-34.
-
10孙志君.长波红外焦平面材料技术的进展与新途径[J].半导体光电,1991,12(4):342-350. 被引量：1
