摘要
4d过渡杂质Mo、Pd在GaAs中分别引入E(0.42eV)、H(0.61eV)和E(0.66eV)、H(0.69eV)等能级。根据过渡杂质Mo和Pd在GaAs中的光电行为,推测这些杂质在GaAs中不起有效复合中心的作用。
Energy levels E(0.42eV), H(0.61eV), E(0.66eV) and H(0.69eV) are introduced by the existence of the 4d transition impurities Mo and Pd, respectively, in GaAs. Based on the optical-electric behavior of transition impurities Mo and Pd in GaAs, it is suggested that these impurities do not act as effective recombination centers in GaAs.
出处
《红外与毫米波学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
1993年第2期135-138,共4页
Journal of Infrared and Millimeter Waves
基金
国家自然科学资助项目
关键词
砷化镓
杂质
钼
铅
过渡元素
gallium arsenide, 4d transition impurities, deep level transient spectroscopy, luminescence spectroscopy.
