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表面氧化层对Hg_(1-x)Cd_xTe霍耳数据的影响 被引量:1

THE EFFECT OF SURFACE LAYER OXIDE ON Hg_(1-x)Cd_xTe HALL DATA
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摘要 报道了表面氧化层对Hg_(1-x)Cd_xTe霍耳数据影响的实验研究结果。利用两层模型对实验结果进行了解释。 The experimental studies of the effect of surface oxide layer on Hg_(1-x)Cd_xTe Hall data are reported. The experimental results are well explained by using a two-layer conduction model.
出处 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1993年第4期309-314,共6页 Journal of Infrared and Millimeter Waves
基金 中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家实验室资助课题
关键词 表面 氧化层 碲镉汞 霍耳效庆 surface oxide layer, anomalous Hall behavior, two-layer model.
  • 相关文献

参考文献1

  • 1黄河,红外与毫米波学报,1988年,7A卷,89页

同被引文献8

  • 1褚君浩,R.Sizmann,F.Koch,J.Ziegler,H.Maier.Hg_(1-x)Cd_xTe反型层子能带结构的实验研究[J].Journal of Semiconductors,1990,11(5):332-340. 被引量:2
  • 2刘坤,物理学报,1994年,43卷,2期,268页
  • 3褚君浩,Phys Rev,1991年,44卷,4期,1717页
  • 4褚君浩,中国科学.A,1990年,5期,515页
  • 5Yang M J,Appl Phys Lett,1989年,54卷,3期,265页
  • 6褚君浩,红外与毫米波学报,1989年,8卷,5期,327页
  • 7孙恒慧,半导体物理实验,1985年
  • 8刘坤

引证文献1

二级引证文献1

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