在蓝宝石衬底上外延生长光导探测器用的HgCdTe

下载PDF

导出

摘要用等温汽相外延(ISOVPE)和液相外延(LPE)组合,在用金属有机物化学汽相淀积(MOCVD)的CdTe/蓝宝石衬底上生长HgCdTe。用ISOVPE把CdTe层转变为Hg_(0.8)Cd_(0.2)Te。ISOVPE和LPE过程连续在闭管内进行,应用转变工艺,降低CdTe和HgCdTe间的晶格失配、并减少CdTe衬底和外延层间互扩散产生的组分梯度。晶片在Hg气氛中退火后制做成光导探测器性能验证了晶片质量,结果可与在CdZnTe上外延生长HgCdTe制做的一般探测器性能相比。

作者张文福

出处《红外与激光技术》 CSCD 1993年第2期49-51,63,共4页

关键词气相外延生长光导探测器碲镉汞

分类号 TN213 [电子电信—物理电子学]

引文网络
相关文献

1义仡.气相外延生长GaN[J].电子材料快报,1998(10):8-8.
2彭英才.Ⅲ族氮化物半导体的气相外延生长及其热力学分析(2)[J].半导体杂志,1999,24(2):16-21.
3金属有机气相外延生长氢化GaAs／AlGaAs量子阱的光致发光[J].发光快报,1994,15(3):18-20.
4ZHAO Baijun,HAN Xu,YANG Fan,DONG Xin,ZHANG Yuantao.Studies on Growth of N-Polar InN Films by Pulsed Metal-organic Vapor Phase Epitaxy[J].Chemical Research in Chinese Universities,2016,32(4):669-673.
5Jessica Bolinsson,Martin Ek,Johanna Tragardh,Kilian Mergenthaler,Daniel Jacobsson,Mats-Erik Pistol,Lars Samuelson,Anders Gustafsson.GaAs/AlGaAs heterostructure nanowires studied by cathodoluminescence[J].Nano Research,2014,7(4):473-490.
6马丽莹,张战,李嘉,方莉俐.金刚石薄膜气相外延生长[J].量子电子学,1991,8(2):272-276.
7化合物半导体[J].电子科技文摘,1999(9):10-10.
8Takan.,S,艾时英.金属有机气相外延生长的1.5um分别限制异质结量子阱分布反馈激光器...[J].光纤通信技术,1989(4):29-31.
9光探测器与光学系统[J].电子科技文摘,2000(8):22-23.
10彭英才.Ⅲ族氮化物半导体的气相外延生长及其热力学分析(1)[J].半导体杂志,1999,24(1):19-24.

红外与激光技术

1993年第2期

浏览历史

内容加载中请稍等...

在蓝宝石衬底上外延生长光导探测器用的HgCdTe

相关作者

相关机构

相关主题

浏览历史