汞退火对分子束外延生长的HgCdTe电学特性的影响

下载PDF

导出

摘要在测量霍尔效应时,用分子束外延(MBE)生长的Hg_(1-x)Cd_xTe膜层常表现出异常的电导特性,通过在汞气氛中退火,能明显消除这种现象,并转变为均匀的p型导体。用霍尔效应测量表征的膜层来研究退火对它的影响。本文给出了退火后p型膜层中迁移率与Cd组份x值和受主能级的关系。

作者于彩虹

出处《红外与激光技术》 CSCD 1993年第2期56-59,共4页

关键词分子束外延碲镉汞电学性能

1杨德仁.硅材料研究进展:从微电子到光伏和光电子[J].国际学术动态,2003(1):19-20.
2赵爱民,张淑芳.分集技术及在联通移动网中的应用[J].电信科学,1999,15(11):51-53. 被引量：4
3姚英,朱惜辰,楚莉萍.HgCdTe光电二极管的1/f噪声[J].数据采集与处理,1989,4(A10):21-22.
4王吉丰,黄锡珉,张志舜,徐叙.Znse：Al电学性能的研究[J].发光学报,1995,16(2):149-152. 被引量：2
5徐鸿达,T.G.Andersson.热退火对分子束外延生长的高纯GaAs薄膜中深能级的影响[J].Journal of Semiconductors,1989,10(12):912-916.
6Camp.,JH Mane.,RT.“子束”的大口径,高破坏阈值光学件[J].强激光技术进展,1997(1):14-23.
7邓志杰.日立公司研究晶片背面铜沾污[J].现代材料动态,2003(10):12-13.
8王经纬,巩锋.基于三代红外探测器的一种新型材料——硒镉汞[J].激光与红外,2013,43(10):1089-1094. 被引量：3
9王淑云.通过介电胶膜将离子注入碲隔汞[J].红外与激光技术,1991,20(3):55-60.
10Han,JW,李玲.调制掺杂HgCdTe量子阱结构和超晶格[J].红外,1991(4):13-18.

红外与激光技术

1993年第2期

浏览历史

内容加载中请稍等...