GaAs在（001）方向的抛物线型和非抛物线型能带模型的比较
出处
《量子电子学报》
CAS
CSCD
北大核心
2004年第5期701-701,共1页
Chinese Journal of Quantum Electronics
-
1王印月,甄聪棉,刘雪芹,闫志军,龚恒翔,杨映虎,何山虎.Au/Ti/p型金刚石膜欧姆接触特性研究[J].半导体光电,2000,21(5):328-331.
-
2吕翔,褚君浩.半导体材料的光致发光[J].红外,2001(3):13-16. 被引量：1
-
3龚欣,张进城,郝跃,张晓菊.4H-SiC npn BJT特性研究[J].电子学报,2003,31(z1):2201-2204. 被引量：1
-
4赵波,李清山,张宁,陈达,郑学刚.ZnO/PS异质结的光学和电学性质[J].Journal of Semiconductors,2006,27(7):1217-1220. 被引量：2
-
5刘洪武,吴渊,袁剑锋,马凯,黄锡珉.MIM开关器件的伏安特性研究[J].液晶与显示,1998,13(2):98-111. 被引量：2
-
6孟令琴,费元春,毛峥.SiGe PMOSFET性能模拟[J].固体电子学研究与进展,2003,23(4):397-399. 被引量：1
-
7赵占霞,栗敏,詹颜,王德明,马忠权,孙铁囤.射频溅射法制备的纳米硅薄膜的能带结构和I-V特性(英文)[J].功能材料与器件学报,2009,15(3):299-302. 被引量：2
-
8陈开茅,贾勇强,金泗轩,吴克,李传义,顾镇南,周锡煌.固体C_(60)/Si异质结的电学表征——整流特性、能带模型与温偏效应[J].物理学报,1996,45(2):265-273.
-
9董果香,李建清.GaN_Si npn HBT特性研究[J].电子器件,2013,36(1):5-8. 被引量：3
-
10史常忻,K.Heime.BRAQWET能带结构和优化设计参量[J].固体电子学研究与进展,2002,22(1):25-28.
