飞兆降低Miller电荷达35~40%的先进MOSFET技术
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1飞兆先进MOSFET技术降低Miller电荷达35%~40%[J].集成电路应用,2004,21(7):42-42.
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2章从福.飞兆半导体的先进MOSFET技术降低Miller电荷达35—40%[J].半导体信息,2004(4):23-24.
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3飞兆半导体的80VMOSFET提供38%更低Miller电荷及33%更低FOMDC/DC转换器电源设计带来更佳的系统效率[J].电子与电脑,2005(1):70-70.
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4沈永东,胥飞,张元熙.MOSFET技术在海航脉冲发生器中的应用[J].科技与创新,2016(1):12-13.
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5英飞凌推出1200V碳化硅MOSFET技术[J].单片机与嵌入式系统应用,2016,16(6):87-87.
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6章从福.Fairchild推出80 V MOSFET器件[J].半导体信息,2005,0(3):32-32.
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7文洁.英飞凌推出1200V碳化硅MOSFET技术[J].轻工机械,2016,34(3):102-102.
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880V N沟道MOSFET器件[J].电子设计技术 EDN CHINA,2005,12(2):109-109.
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9飞兆半导体推出80V N沟道MOSFET器件[J].电力电子,2005,3(1).
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10章从福.飞兆半导体公司推出N沟道MOSFET器件[J].半导体信息,2005,0(2):33-34.