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化学气相淀积反应器中成核与成膜控制 被引量:7

CONTROLLING OF PARTICLE FORMATION AND FILM GROWTH IN THE CVD REACTOR
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摘要 基于气溶胶动力学和化学反应动力学,建立了化学气相淀积(CVD)反应器中普适动力学方程,导出了CVD反应器中超细颗粒粒径分布谱函数和薄膜淀积速率的计算方法;研究了操作参数对钛酸丁酯高温裂解过程中成核与成膜的影响.用成核与成膜竞争判据——H准数,研究了CVD反应器中成核与成膜的控制策略. A generalzed dynamic equation based on aerosol dynamics and reaction kinetics for a CVD reactor was derived, and a calculation method for particle size distribution and film growth rate in the CVD reactor was developed. The effects of operation parameters on particle formation and film growth process were simulated with this method. By means of a dimensionless parameter H, the optimal condition for particle formation and film growth in the CVD reactor could be determined quantatively.
出处 《化工学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1993年第5期523-530,共8页 CIESC Journal
基金 国家自然科学基金资助项目
关键词 气相淀积 粒度 薄膜 反应器 气溶胶 chemical vapor deposition, particle size distribution, film growth
  • 相关文献

参考文献6

  • 1胡黎明,李春忠,姚光辉,陈敏恒.钛酸丁酯高温裂解合成TiO_2超细粒子粉末[J].无机材料学报,1992,7(4):448-454. 被引量:14
  • 2胡黎明,化学世界,1993年,8期,392页
  • 3胡黎明,华东理工大学学报,1992年,18卷,4期,417页
  • 4李春忠,华东理工大学学报,1992年,18卷,4期,455页
  • 5李春忠,华东理工大学学报,1992年,18卷,5期,536页
  • 6Hong L S,1990年

二级参考文献1

  • 1胡黎明,1991年

共引文献13

同被引文献40

引证文献7

二级引证文献23

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