期刊导航
期刊开放获取
河南省图书馆
退出
期刊文献
+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
检索
高级检索
期刊导航
pH-ISFET滞后特性的研究
下载PDF
职称材料
导出
摘要
离子敏场效应晶体管具有体积小、重量轻、响应快、输入阻抗高、输出阻抗低、可全固体化、易于实现多功能化等优点,受到国内外普遍重视,其研究工作已取得了显著进展。但推广应用中有不少困难,其原因在于目前器件尚未完善,除可靠性尚不够理想之外,温漂与滞后也严重地影响其稳定性。为加速ISFET实用化进程,深入研究其滞后特性,具有极其重要的现实意义。 研究工作表明。
作者
虞惇
张玉良
王贵华
机构地区
哈尔滨工业大学
出处
《传感器技术》
CSCD
1989年第4期12-17,共6页
Journal of Transducer Technology
关键词
ISFET器件
滞后特性
PH-ISFET
分类号
TN386 [电子电信—物理电子学]
引文网络
相关文献
节点文献
二级参考文献
0
参考文献
0
共引文献
0
同被引文献
0
引证文献
0
二级引证文献
0
1
丁辛芳,牛蒙年.
离子敏场效应晶体管[J]
.传感器技术,1995,14(4):1-6.
被引量:4
2
芮小健,颜景平,钟秉林.
压电叠堆相位滞后特性的研究[J]
.压电与声光,1993,15(4):23-26.
被引量:3
3
陈克铭,李国花,吕惠云,陈朗星.
LPCVD氮化硅膜中的氢含量及其对pH-ISFET敏感特性的影响[J]
.Journal of Semiconductors,1991,12(12):721-727.
被引量:2
4
冯秀清,石琳,周前能.
pH-ISFET的温度特性及其补偿的讨论[J]
.辽宁工学院学报,2002,22(4):13-15.
被引量:2
5
汪正孝.
采用离子注入方法调整和控制氢离子敏场效应管(pH-ISFET)阈值电压[J]
.Journal of Semiconductors,1989,10(1):62-66.
被引量:1
6
雷勇,陆海.
Influence of field plate on surface-state-related lag characteristics of AlGaN/GaN HEMT[J]
.Journal of Semiconductors,2015,36(7):90-93.
被引量:5
7
虞惇,魏亚东,王贵华.
Si_3N_4膜pH-ISFET输出特性研究[J]
.Journal of Semiconductors,1991,12(4):253-256.
被引量:1
8
李舒晨,雷能芳.
一个不能用作振荡器的电路[J]
.渭南师范学院学报,2000,15(5):11-13.
被引量:1
9
武世香,陈士芳.
PH—T双功能集成ISFET器件的研究[J]
.半导体杂志,1989(2):1-6.
10
邵丙铣,张永夏,邵红霖,金曼娜.
集成差分式PH-ISFET的研究[J]
.仪器仪表学报,1989,10(3):225-228.
被引量:1
传感器技术
1989年 第4期
职称评审材料打包下载
相关作者
内容加载中请稍等...
相关机构
内容加载中请稍等...
相关主题
内容加载中请稍等...
浏览历史
内容加载中请稍等...
;
用户登录
登录
IP登录
使用帮助
返回顶部