摩尔开口改定律
出处
《微电脑世界》
2003年第15期4-4,共1页
PC World China
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1王继锁,冯健,孙长勇.介观电路量子力学效应的研究进展[J].聊城大学学报(自然科学版),2003,16(2):14-16. 被引量:1
-
2P.Vimala,N.B.Balamurugan.Quantum mechanical compact modeling of symmetric double-gate MOSFETs using variational approach[J].Journal of Semiconductors,2012,33(3):15-19. 被引量:1
-
3马玉涛,李志坚,刘理天.包含多子带结构的MOS器件开启电压量子力学效应修正模型[J].Journal of Semiconductors,1999,20(3):219-224. 被引量:9
-
4Anatoliy Evtukh,黄发朋.真空纳米电子器件[J].国外科技新书评介,2015,0(12):20-20.
-
5王良.半导体低维结构及应用[J].现代物理知识,2006,18(2):8-10.
-
6崔元顺.介观含源耦合电路中的量子力学效应[J].厦门大学学报(自然科学版),2000,39(3):323-328. 被引量:7
-
7Amit Chaudhry,J. N. Roy.Analytical Modeling of Quantum Mechanical Tunneling in Germanium Nano-MOSFETS[J].Journal of Electronic Science and Technology,2010,8(2):144-148.
-
8于达维.最子通信起跑[J].新世纪周刊,2015,0(5):54-62.
-
9戴闻.生命中的量子力学效应[J].物理,2010,39(2):100-100.
-
10吴云翼,陈明玉,嵇英华,雷敏生.介观并联RLC电路的量子化及其量子涨落[J].江西师范大学学报(自然科学版),2004,28(2):118-121.
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