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高频振荡型接近开关 被引量:4

The High Frequency Oscilated Approach Switch
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摘要 详述了新型高频振荡接近开关的电路结构和工作原理。电路的特点是采用晶闸管VT3作为无触点开关输出电路。VT3触发电压不是用单结晶体管产生 ,而是用电容器C4 的充放电来产生。这种结构承受的负载电流大 ,可靠性高。续流二极管VD2 The circuit structure of new type high frequency oscilated approach switcher is scrutinized. The attribute of semiconductor is using the thyristor VT 3 as a non touch switch outputting circuit .The injunction transistor does not cause the triggering volume of the VT 3.The triggering volume is caused by the recharging and releasing of the capacitor of C 4.The VD 2 assure the closing of VT 3, when the pulsing direct current voltage arrives at the zero value.
作者 陈众起
出处 《电工技术杂志》 2004年第8期89-90,共2页 Electrotechnical Journal
关键词 接近开关 负载电流 高频振荡 直流电压 充放电 电容器 晶闸管 续流二极管 单结晶体管 电路结构 oscillatory eddy current thyristor flip flop voltage approach switch
  • 相关文献

参考文献2

  • 1童诗白.华成英摸拟电子基础,(第三版)[M].北京:高等教育出版社,2002..
  • 2何希才 等.实用电子电路设计[M].北京:电子工业出版社,1998..

共引文献1

同被引文献17

引证文献4

二级引证文献7

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