850nm优化单模光纤的制备及特性

本文介绍850nm优化非色散位移单模光纤。该种光纤是和G．652系列光纤完全兼容的，然而其850nm波长带宽得到了优化，以便满足将来的应用。该种光纤采用PCVD(等离子有源化学汽相沉积)法生产的。为了提高850nm带宽，该光纤的芯RI分布(RI=Refractive Index，折射率)设计为渐变折射率分布。使用长度约为36公里光纤，得出某些相关的几何特征和光特性。纤芯直径，MFD(模场直径)分别约为13微米和9．6微米。截止波长和零色散波长位于约1315nm和1323nm。1310nm和1550nm处的衰减分别小于0．34dB／km和0．19dB／km。这些数据表明，该850nm优化光纤是和G．652光纤系列的指标参数完全对应的。与此同时，OFLB(Over—Filled Launch Bandwidth，过冲盈激发带宽)试验示出，850nm处带宽优于400MHz·Km，而常规G．652光纤的OFLB约为150MHZ·Km，可资比较。该种光纤由于具有相当大的850nm带宽，可被用在850nm波长的LAN或DSN(Data—storage Network，数据存储网)场合。为了证实和G．652光纤的兼容性，还进行了该种光纤与常规G．652光纤的接头损耗。