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挖槽工艺在我国晶闸管制造历史上的作用
The Role of Grooving Technology in the Thyristor Manufacturo History in China
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摘要
本刊上期介绍了晶闸管制造的前十年,是一定要用大量黄金的。照此下去,电力电子势必成为国民经济的耗金大户;而且这种“扩散一合金工艺”限制了晶闸管向大面积(扩展电流容量)、高电压、快速性、高性能及派生新器件的方向发展。尽管开发了石墨粉压接、真空吸片、倒装等保证烧结质量(主要是保证金锑片。
作者
郑媛
出处
《电力电子》
2004年第4期55-55,64,共2页
Power Electronics
关键词
晶闸管
挖槽工艺
二氧化硅膜
扩散工艺
P-N-P结构
分类号
TN34 [电子电信—物理电子学]
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电力电子
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