MBE—GaAs／Si材料应变层的调制光谱研究
-
1胡雨生,胡福义,汪乐,李爱珍,范伟栋.MBE-GaAs/Si材料应变层的调制光谱研究[J].Journal of Semiconductors,1993,14(3):133-138.
-
2钱士雄,袁述,吴建耀,李郁芬,T.G.Andersson.半导体量子阱材料的调制光谱研究[J].Journal of Semiconductors,1991,12(3):150-155.
-
3章其麟,任永一,李景,王苏眉.MOCVD生长GaAs/Si材料及其在MESFET中的应用[J].半导体情报,1990(2):35-37. 被引量：1
-
4高鸿楷,龚平,王海滨,朱作云,李跃进.优质GaAs/Si和AlGaAs/Si材料的MOCVD生长研究[J].光子学报,1993,22(2):189-192.
-
5梁基本,孔梅影,段维新,朱战萍,谢茂海,朱世荣,曾一平,张学渊.优质GaAs/Si材料的研制[J].半导体情报,1991,28(6):15-16.
-
6宋登元.GaAs／Si异质结构器件的进展[J].半导体杂志,1992,17(1):25-32.
-
7王若桢,田强,江德生.用调制光谱研究半导体体材料及微结构的非线性极化率[J].Journal of Semiconductors,2000,21(1):89-92.
-
8胡福义,李爱珍.MBEGaAs／Si材料的喇曼散射研究[J].科技通讯（上海）,1992,6(4):2-7.
-
9邵力为,李明祥,丁东.GaAs／Si衬底电路制备中Ge元素分布的研究[J].真空电子技术,1994,7(3):7-9.
-
10胡福义,李爱珍.分子束外延GaAs/Si材料的喇曼散射研究[J].物理学报,1991,40(6):962-968.
;
