YSZ上外延硅界面的特性
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1张光照.微系统技术（连载二）─微系统采用的新材料[J].传感器技术,1995,14(5):59-64.
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2王强,李忠,李玉国,石礼伟,郭兴龙.激发波长和电化学腐蚀对注碳外延硅荧光特性的影响[J].微纳电子技术,2004,41(1):26-29.
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3李玉国,王强,薛成山,李怀祥,石礼伟.注C^+外延硅的光致发光特性[J].Journal of Semiconductors,2003,24(12):1272-1275. 被引量：1
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4高培德,陈庆贵.YSZ上外延硅界面的特性[J].薄膜科学与技术,1993,6(2):98-103.
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5SEMI发布硅晶圆出货量预测报告[J].中国集成电路,2011,20(11):9-9.
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6陈庆贵,史日华.氧化钇稳定的氧化锆上外延硅生长的研究[J].应用科学学报,1990,8(3):268-270.
-
7李忠,赵显,李玉国,薛成山.退火温度对碳注入外延硅蓝光发射特性的影响[J].电子元件与材料,2004,23(7):46-47.
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8李玉国,孙钦军,曹玉萍,王强,王建波,张秋霞.注碳外延硅的荧光特性研究[J].半导体光电,2006,27(5):560-562.
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9李玉国,王强,石礼伟,薛成山.注碳外延硅光致蓝光发射研究[J].半导体光电,2003,24(6):444-446.
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10王强,李玉国,石礼伟,薛成山.氢退火注碳外延硅发光特性研究[J].稀有金属材料与工程,2005,34(2):256-258. 被引量：1
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