半导体型甲醛气敏元件的研制
出处
《郑州轻工业学院学报(自然科学版)》
CAS
2004年第4期60-60,共1页
Journal of Zhengzhou University of Light Industry:Natural Science
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1陈裕权.瑞萨开发出用于45nm器件的新的高性能晶体管技术[J].半导体信息,2007,0(6):14-14.
-
2赵磊,赵柏衡,常胜,王豪,黄启俊.石墨烯纳米带场效应管结构优化[J].微纳电子技术,2013,50(8):474-478. 被引量:1
-
3张振华,彭景翠,陈小华,王健雄,曾晓英.掺杂单壁碳纳米管的电流特性[J].Journal of Semiconductors,2002,23(5):499-504. 被引量:1
-
4李彦旭,巴大志,成立.静态存储单元电路设计工艺的研究[J].电子元件与材料,2002,21(12):13-16. 被引量:3
-
5刘红,印海建.外加轴向磁场下碳纳米管场效应晶体管的电学性质[J].物理学报,2009,58(5):3287-3292. 被引量:1
-
6刘红,印海建,夏树宁.形变碳纳米管场效应晶体管的电学性质[J].物理学报,2009,58(12):8489-8500. 被引量:6
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