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多晶硅应变式传感器
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摘要
当硅处于应变状态时,不仅电阻发生变化,而且还会产生与电流方向垂直的电压,与霍尔测量时所发现的情况大致相同。产生这种偏移电压的机理是剪切压阻效应。
出处
《国外传感技术》
2004年第5期168-168,共1页
关键词
应变式传感器
压阻效应
多晶硅
电压
偏移
剪切
发现
应变状态
电阻
测量
分类号
TN304 [电子电信—物理电子学]
TP212 [自动化与计算机技术—检测技术与自动化装置]
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