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多晶硅应变式传感器

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摘要 当硅处于应变状态时,不仅电阻发生变化,而且还会产生与电流方向垂直的电压,与霍尔测量时所发现的情况大致相同。产生这种偏移电压的机理是剪切压阻效应。
出处 《国外传感技术》 2004年第5期168-168,共1页
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