用瞬态光致发光研究非对称双量子阱隧穿过程

导出

摘要半导体量子阱超晶格结构的载流子除了具有平行于阱层界面的纵向运动(纵向输运)外,还具有垂直于界面方向的横向运动(横向输运)。横向运动需要穿过势垒阻挡层,因此又称为载流子的隧道穿透效应(Tunneling,简称隧穿)。自从1973年Esaki和Tsu等人的开创性工作以来,特别是量子阱超晶格材料的问世,

作者黄旭光蔡志岗李庆行余振新王太宏梅笑冰杨国桢

机构地区中山大学超快速激光光谱学国家重点实验室中国科学院物理研究所

出处《科学通报》 EI CAS CSCD 北大核心 1993年第19期1746-1749,共4页 Chinese Science Bulletin

基金高等学校博士点专项科研基金

关键词量子阱隧穿过程光致发光半导体

分类号 O471.4 [理学—半导体物理]

引文网络
相关文献

参考文献2

1崔捷,王海龙,干福熹,黄旭光,蔡志岗,李庆行,余振新.Ⅱ—Ⅵ族宽禁带ZnS/ZnSe应变层超晶格瞬态激子复合发光特性[J].科学通报,1991,36(24):1853-1855. 被引量：1
2黄旭光，物理学报，1991年，40卷，1677页

二级参考文献1

1Zhang X C，Appl Phys Lett，1985年，47卷，1期，59页

1邓浩亮,贾国治,姚江宏,徐章程.非对称双量子阱中载流子耦合的温度依赖性[J].发光学报,2005,26(6):753-756.
2郭洪菊,汪丽春,钮月萍,金石琦,龚尚庆.Tunneling-induced π-phase shift with a single-photon signal field in asymmetric double quantum wells[J].Chinese Optics Letters,2009,7(10):886-890.
3那顺乌日图,宫箭.强激光场下非对称量子阱结构中子带间的跃迁[J].光电子．激光,2010,21(7):1102-1105.
4范希武,于广友,张吉英,杨宝均,申德振.ZnCdSe/ZnSe非对称双量子阱中的光学特性研究[J].发光学报,2000,21(4):293-298. 被引量：5
5闫祖威,梁希侠.ZnSe/ Zn_(1-x)Cd_xSe非对称双量子阱中电子声子相互作用(英文)[J].内蒙古大学学报（自然科学版）,2001,32(2):169-177.
6王蕊,班士良.GaAs/Al_xGa_(1-x)As非对称耦合双量子阱中的激子态[J].内蒙古大学学报（自然科学版）,2016,47(4):374-381.
7吴宏伟,米贤武.Optical absorption in asymmetric double quantum wells driven by two intense terahertz fields[J].Chinese Physics B,2013,22(3):431-436.
8龚尚庆,钮月萍,周凤雪,祁义红,彭延东.原子类原子系统光学特性的量子相干调控应用基础研究[J].光学学报,2011,31(9):205-210. 被引量：2
9尚开,张振中,李炳辉,徐海阳,张立功,赵东旭,刘雷,王双鹏,申德振.非对称ZnO/ZnMgO双量子阱内量子效率的提高[J].发光学报,2013,34(7):872-876. 被引量：1
10尚开,张振中,李炳辉,徐海洋,张立功,赵东旭,刘雷,王双鹏,申德振.电子束泵浦ZnO/ZnMgO量子阱的最佳激发电压[J].发光学报,2013,34(6):692-697.

科学通报

1993年第19期

浏览历史

内容加载中请稍等...

用瞬态光致发光研究非对称双量子阱隧穿过程

参考文献2

二级参考文献1

相关作者

相关机构

相关主题

浏览历史