期刊文献+

多孔硅光致发光激发谱测量与机理分析 被引量:2

原文传递
导出
摘要 对多孔硅光致发光光谱(PL)和光致发光激发谱(PLE)的研究可以获得许多有关多孔硅发光机理的信息。已有许多文章报道了多孔硅发光的光谱特性和多孔硅的制备条件以及后续处理之间的关系,并据此提出了不同的发光模型。也有人对多孔硅的发光特性和激发条件间的关系进行了研究,并提出多孔硅的发光和表面态或荧光中心有关。我们用不同波长的单色光作激发源,测量了多孔硅发光的光谱特性,并用连续变化波长的单色光作激发源。
出处 《科学通报》 EI CAS CSCD 北大核心 1993年第23期2128-2130,共3页 Chinese Science Bulletin
基金 国家自然科学基金
  • 相关文献

参考文献4

  • 1鲍希茂,半导体学报,1993年,14卷,322页
  • 2Shih S,Appl Phys Lett,1992年,60卷,633页
  • 3Xu Z Y,Appl Phys Lett,1992年,60卷,1375页
  • 4Xie Y H,J Appl Phys,1992年,71卷,2403页

同被引文献32

引证文献2

二级引证文献7

相关作者

内容加载中请稍等...

相关机构

内容加载中请稍等...

相关主题

内容加载中请稍等...

浏览历史

内容加载中请稍等...
;
使用帮助 返回顶部