微波砷化镓功率场效应晶体管内匹配电路研究
出处
《空间电子技术》
1993年第2期56-64,共9页
Space Electronic Technology
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1应建华,刘三清,秦祖新.功率场效应晶体管VDMOS导通电阻的优化[J].微电子学,1991,21(6):18-21. 被引量:1
-
2虞忠发,李祖华.砷化镓功率场效应晶体管系列[J].固体电子学研究与进展,1994,14(4):383-383.
-
3蒋幼泉,陈堂胜,李祖华,陈克金,盛文伟.C波段4W砷化镓功率场效应晶体管[J].固体电子学研究与进展,1995,15(1):6-10. 被引量:1
-
4欧荣德,徐跃杭,国云川,徐锐敏.S波段高效率内匹配功率放大器设计[J].微波学报,2014,30(S1):138-140. 被引量:1
-
5李中江.VMOS功率场效应晶体管(下)[J].电信技术,1990(11):25-27.
-
6王立新,廖太仪,陆江.低压条形栅功率场效应晶体管的研制[J].Journal of Semiconductors,2006,27(z1):205-207. 被引量:1
-
7何庆国,王长河,蔡树军.硅微波功率晶体管内匹配及功率合成研究[J].半导体情报,1992,29(3):14-21.
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8李中江.VMOS功率场效应晶体管(上)[J].电信技术,1990(10):35-36.
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