含氧化多孔硅的低阻硅衬底
出处
《科技开发动态》
2004年第7期46-47,共2页
R&D Information
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1Kathy Barla,蔡菊荣.采用氧化多孔硅埋层的SOI工艺[J].微电子学,1989,19(5):52-56.
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2葛羽屏,郭方敏,王伟明,徐欣,游淑珍,邵丽,于绍欣,朱自强,陆卫.低阻硅衬底上形成的低损耗共平面波导传输线[J].红外与毫米波学报,2004,23(5):357-359. 被引量：1
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3欧海燕,杨沁清,雷红兵,王红杰,余金中,王启明,胡雄伟.用氧化多孔硅方法制备厚的SiO_2膜及其微观分析[J].Journal of Semiconductors,2000,21(3):260-263. 被引量：8
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4马书懿.氧化多孔硅的发光机制[J].西北师范大学学报（自然科学版）,2000,36(1):22-26. 被引量：1
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5宁瑾,刘忠立,刘焕章,葛永才.Fabrication of Silicon Condenser Microphone Using Oxidized Porous Silicon as Sacrificial Layer[J].Journal of Semiconductors,2003,24(5):449-453.
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6贾振红,涂楚辙,地里木拉提.土尔逊,李芮.用电化学腐蚀法制备氧化多孔硅波导定向耦合器[J].激光杂志,2005,26(1):11-12. 被引量：3
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7贾振红,涂楚辙.氧化多孔硅/聚合物复合膜的折射率[J].光子学报,2006,35(8):1149-1152. 被引量：1
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8陈忠民,刘泽文,刘理天,李志坚.氧化多孔硅上制作Cu电感的研究[J].微细加工技术,2004(4):50-55. 被引量：1
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9龙永福,朱自强,赖宗声,忻佩胜,石艳玲.用于微波/射频集成电路的一种新型低损耗介质——多孔硅及氧化多孔硅厚膜[J].Journal of Semiconductors,2002,23(6):609-613. 被引量：5
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10蔡贝妮,陈松岩,曾明刚,蔡加法.新型湿法氧化对多孔硅发光强度的影响[J].光电子．激光,2004,15(8):951-954. 被引量：2
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