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一种简单的S参数去嵌入技术 被引量:5

An Easy Technique for S Parameters De-embedding
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摘要 介绍了在低成本夹具上 ,任意微带结构二端口网络S参数去嵌入的方法 ;该方法用于获取放大器模块的S参数 ,根据这些参数设计的C波段的放大器实测结果与仿真一致。 An easy technique to de-embed the S-parameters of an arbitrary microstrip two -port is introduced. The technique is applied to acquire the S-parameters of a n amplifier block, and based on these parameters, a C-band amplifier has been de signed. The measurement of the amplifier matches the simulation.
出处 《微波学报》 CSCD 北大核心 2004年第3期58-61,共4页 Journal of Microwaves
关键词 S参数 夹具效应 去嵌入技术 放大器 夹具 S parameters, Fixture effect, De-embedding, A mplifier
  • 相关文献

参考文献3

  • 1The Datasheet--Hetero Junction Field Effect Transistor NE334S01. NEC Corporation, 1996
  • 2De-embedding and Embedding S-Parameter Networks Using a Vector Network Analyzer. Agilent Application Note 1364 - 1,2001
  • 3闫润卿,李英惠.微波技术基础(第二版).北京:北京理工大学出版社,1997

同被引文献37

引证文献5

二级引证文献3

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