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4G AG-AND型闪存

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摘要 4Gb的AG-AND型闪存R1FV04G13R和R1FV04G14R可提供10MBps编程速度，分别具有8位和16位配置，90nm工艺和改进的存储器单元设计使芯片面积大约缩小了三分之二，可以在单个芯片上配置512MB的记录介质。

出处《今日电子》 2004年第11期110-110,共1页 Electronic Products

关键词闪存 512MB 芯片存储器配置记录介质编程速度 AG 90nm工艺单元设计

分类号 TN912.26 [电子电信—通信与信息系统] TP333 [自动化与计算机技术—计算机系统结构]

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