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低压场效应MOS晶体管

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摘要基于STripFET技术的低压N沟道场效应MOS晶体管适用于超高开关频率的应用，电压为24V和30V，额定电流为8A、12A、27A、50A和80A，10V时的典型通态电阻为0．008Ω、0．01Ω、0．0039Ω、0．012Ω和0．011Ω。

出处《今日电子》 2004年第11期110-111,共2页 Electronic Products

关键词 MOS晶体管场效应 FET N沟道开关频率低压电阻额定电流电压超高

分类号 TN386.6 [电子电信—物理电子学] TN32 [电子电信—物理电子学]

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今日电子

2004年第11期

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