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硅片键合界面缺陷分布与Weibull模数的关系

The defect distribution of bonded wafers and its relationship to the Weibull modulus
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摘要 从理论推导分析了键合片的缺陷分布与Weibull模数m之间的关系。此关系与实验相符,并利用此关系很好地解释了硅片键合强度随退火温度变化的关系。 The relationship between the defect distribution of bonding wafer and W eibull modulus is discussed. This relation is confirmed by experimentations,and it can explain why wafer bon-ding strength is changed by annealing temperature.
作者 肖滢滢 黄庆安 王建华
机构地区 东南大学MEMS教育部重点实验室 合肥工业大学理学院
出处 《微纳电子技术》 CAS 2004年第12期36-40,共5页 Micronanoelectronic Technology
关键词 键合 缺陷分布 Weibull模数 键合强度 bond defect distribution Weibull modulus bond strength
分类号 TN432 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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共引文献5

微纳电子技术
2004年 第12期

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