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意法半导体低压N沟道场效应MOS晶体管

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摘要意法半导体公司(STMicroelectonics)推出多个基于其STripFET技术的低压N沟道场效应MOS晶体管，这些产品的设计目标是超高开关频率的应用。

出处《电子产品世界》 2004年第11B期30-32,共3页 Electronic Engineering & Product World

关键词 MOS晶体管 N沟道场效应 FET 意法半导体公司开关频率低压主板计算机设计目标

分类号 TN386 [电子电信—物理电子学] TN32 [电子电信—物理电子学]

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电子产品世界

2004年第11B期

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