2010年碳化硅器件将主宰功率半导体市场

计算机世界网消息，近年来，通态电阻低并且散热性好的碳化硅器件，迅速发展。碳化硅的能带间隔为硅的2．8倍(宽禁带)，达到3．09电子伏特。其绝缘击穿场强为硅的5．3倍，高达3．2MV／cm，其导热率是硅的3．3倍，为49w／cm·k。