双栅绝缘层a-Si TFT研究

采用阳投氧化法对Ta、Ae两种栅电投进行了氧化物获得及性能研究。低阻Ta膜的获得是至关重要的，我们采用直流磁控溅射法详细研究了降低Ta膜电阻的条件，并获坡度可达30—45°的蚀刻条件。阳极氧化膜的厚度可精确地用工作电压控制，其性能则与工作电流、结束方式紧密相关。MOx/SiNx双层膜厚控制匹配与TFT性能关系甚大，在权衡矩阵成品率与性能方面尚有工作要做。实验发现，在严格控制实验条件下，可使TFT的场迁移率得以改善，相应开态电流有所增长。