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正入射量子点红外光电探测器

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摘要美国南加利福尼亚大学和得克萨斯大学的研究人员最近研制出一种正入射量子点红外光电探测器。这种正入射量子点红外光电探测器有lO层非掺杂InAs／InGaAs／GaAs量子点激活区。在78K温度下，该量子点红外探测器的探测率高达3×10^11cmH2^1/2／W。

出处《云光技术》 2004年第3期33-33,共1页

关键词红外光电探测器量子点 INGAAS/GAAS 红外探测器探测率南加利福尼亚大学得克萨斯大学掺杂

分类号 TN215 [电子电信—物理电子学] TN304 [电子电信—物理电子学]

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云光技术

2004年第3期

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