Soitec最新应变绝缘硅技术可提高电子迁移率80％

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摘要法国SoireeSA公司声称面向局部耗散(partially-depleted)CM0s芯片推出业界首项不含锗(Ge)的应变绝缘硅(strained silicom-on-insulator)技术。Soiree的新型PD-sSOI工艺基于该公司的Smart Cut SOI技术，据称能将芯片设计的电子迁移率提升80％。

出处《集成电路应用》 2004年第12期50-50,共1页 Application of IC

关键词电子迁移率绝缘硅硅技术 SOI工艺 SOI技术芯片设计 CM SA公司提升法国

分类号 TN405 [电子电信—微电子学与固体电子学] F426.63 [经济管理—产业经济]

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