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直径130毫米区熔硅单晶在天津出炉

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出处《集成电路应用》 2002年第9期44-44,共1页 Application of IC

关键词硅单晶天津环欧半导体材料公司 FZ-30区熔炉

分类号 TN304.053 [电子电信—物理电子学]

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4张效雄,周金宝.电力电子的新材料— 高强度掺氮区熔硅单晶[J].上海电器技术,1990(4):18-23.

集成电路应用

2002年第9期

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