片式陶瓷元件国内外发展动态及我厂的对策
-
1史伟.电容器陶瓷击穿问题的研究[J].山东电子,1994(3):25-27.
-
2金放鸣,景镇子,张章辉,郑家范.(100-X)(Sr_1-y-zMgyPbz)TiO_3-XBi_2O_3·3TiO_2系高介高压介质陶瓷材料的研究[J].中国陶瓷,1993,29(2):15-18. 被引量：8
-
3李其凤,郑安泉.超高介TiO_2晶界层电容器陶瓷[J].电子元件与材料,1989,8(1):35-37.
-
4田雨霖.低温烧结电容器陶瓷的显微结构和介电性质[J].硅酸盐通报,1991,10(1):19-23. 被引量：1
-
5田雨霖.二元系Pb(Zn_(1/3)Nb_(2/3))O_3—Pb(Fe_(2/3)W_(1/3)O)_3电容器陶瓷的介电性质[J].功能材料,1992,23(1):44-49.
-
6黄新友,高春华.ZnO对Ba(Ti,Zr)O_3基电容器陶瓷性能和结构的影响[J].江苏大学学报（自然科学版）,2002,23(3):76-79. 被引量：6
-
7齐晓敏,滕元成,陈堃,曾冲盛.掺钇(Ba,Ca)(Ti,Zr)O_3电容器陶瓷抗还原性的研究[J].中国粉体技术,2008,14(2):39-41.
-
8吕景楼,冯泽松.小损耗中高压电容器陶瓷微观结构分析[J].电子元件与材料,1991,10(2):25-28.
-
9王学荣,唐吉龙.钇离子掺杂BaTiO_3基电容器陶瓷制备及性能研究[J].长春理工大学学报（自然科学版）,2011,34(4):100-102. 被引量：3
-
10纯净的及掺杂的Bao0.71Sro0.79Tio3电容器陶瓷[J].磁与瓷通讯,1990(5):3-6. 被引量：1
;
