碳化硅(SiC)晶体产业化
出处
《科技开发动态》
2004年第9期23-23,共1页
R&D Information
-
1RogerAllan,吴琦.晶体的力量[J].世界科学,1998(7):22-24.
-
2邓志杰.新时代的SiC工艺[J].现代材料动态,2003(1):13-14.
-
3陈巨才.努力开拓晶体生长设备发展的新局面[J].LSI制造与测试,1992,13(6):6-9.
-
4一凡.硅晶体生长中引入的缺陷[J].电子材料快报,1998(10):2-2.
-
5青春.掺In LiNbO3晶体生长[J].电子材料快报,1995(8):6-6.
-
6张怀金,孟宪林,祝莉,张宏臻,WangPu,JudithDawes,WangChangqing,Y.T.Chow.新型激光晶体Nd∶Gd_(0.8)La_(0.2)VO_4的生长及其激光性能的研究[J].科学通报,1998,43(13):1455-1456.
-
7谢顺迎,刘宝胜.Ti:YAIO3晶体的生长及特性[J].激光与光学,1990(8):10-12.
-
8康俊勇,黄启圣.低磁场中掺锗GaAs晶体的生长[J].人工晶体学报,1994,23(4):315-319. 被引量:1
-
9邓志杰.高氮气压下GaN晶体的生长[J].有色与稀有金属国外动态,1998(2):1-2.
-
10陈新强,褚君浩,张恕明,张小平,俞振中,周捷,邢思皓,蔡琤,季华美.垂直浸渍液相外延Hg_(1-x)Cd_xTe的生长及性能[J].功能材料,1993,24(3):231-237.
;