宏力着手0.13微米工艺
出处
《中国集成电路》
2004年第12期46-46,共1页
China lntegrated Circuit
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1章从福.宏力正与美国公司谈判引进0．13微米工艺[J].半导体信息,2005,0(3):17-17.
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2马春.中国将成为最大IC市场 3年欲建30家硅片厂[J].上海有色金属,2006,27(1):31-31.
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3重邮信科与深圳普天凌云电子签暑合作协议[J].重庆邮电学院学报（社会科学版）,2006,18(1):17-17.
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4章从福.宏力正与美国公司谈判引进0.13微米工艺[J].半导体信息,2004,0(6):31-31.
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5富士通耗巨资开发0．1微米制造工艺[J].Internet信息世界,2001(5):46-46.
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6宏力半导体加入ARM代工厂计划[J].电子工业专用设备,2006,35(6):12-13.
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7宏力半导体成为领先的微控制器晶圆代工厂[J].中国集成电路,2011,20(4):12-12.
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8同方微电子携手宏力半导体稳定量产0．13微米最小闪存存储单元SIM卡[J].中国集成电路,2012(12):3-3.
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9爱德万测试在上海和北京成功举办2008测试技术研讨会[J].电子工业专用设备,2008,37(12):58-58.
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10销售下跌晶圆双雄前景不被看好[J].集成电路应用,2004,21(9):39-39.
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