H2SO4—H2O2—H2O对GaAs晶片的择优腐蚀
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1刘东红,张玉生,戴英,张福厚,高建华,李月芬.H_2SO_4-H_2O_2-H_2O对GaAs晶片的择优腐蚀[J].山东工业大学学报,1993,23(4):28-31.
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2卜俊鹏,郑红军,何宏家,吴让元.GaAs晶片化学机械抛光的机理分析[J].固体电子学研究与进展,1997,17(4):399-402. 被引量:8
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3杨滨,侯洵,张济康,郭里辉,张功力.GaAs晶片表面的光辐射清洁及红外测温[J].高速摄影与光子学,1991,20(2):167-171.
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4衣丰涛,文汉.美国GaAS晶片加工业近况[J].电子材料(机电部),1991(12):24-28.
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5王勇刚,李朝阳,马骁宇,张志刚.用离子注入GaAs晶片实现闪光灯泵浦Nd:YAG激光器中的被动调Q(英文)[J].Journal of Semiconductors,2004,25(2):148-151.
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6高伟,庄婉如,谭叔明.GaAs、GaAlAs晶片的化学择优腐蚀[J].半导体光电,1989,10(4):31-35. 被引量:2
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7徐菊香,杨英,刘成林,黎宝良.(100)n-GaAs在H_(2)SO_(4)-H_(2)O_(2)-H_(2)O溶液中的腐蚀速度[J].稀有金属,1995,19(3):200-203. 被引量:1
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8马慧莲,杨建义,李瑾,王明华.用择优腐蚀技术制作MMI型GaAs光功率分配器[J].光通信研究,2000(5):50-53. 被引量:1
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9杜晨林,阮双琛,于永芹,秦连杰,邵宗书,孟宪林.LD泵浦Nd∶GdVO_4/GaAs被动调Q激光器研究[J].光子学报,2004,33(7):774-776. 被引量:6
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10邓志杰.半绝缘GaAs晶片市场[J].现代材料动态,2005(3):13-13.