PECVD氮化硅微结构与氧化硅衬底间引力的研究
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1黄庆安,童勤义.Raman谱测量PECVD氮化硅/GaAs的应力[J].固体电子学研究与进展,1992,12(1):82-83.
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2沙石.温度和压力对远距PECVDSiO2结构的影响[J].等离子体应用技术快报,1995(3):13-14.
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3杨爱龄,张秀淼,邵迪玲.PECVD氮化硅膜的性质与生长条件的关系[J].杭州大学学报（自然科学版）,1990,17(2):174-183. 被引量：9
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4蒋济昌.功率管台面钝化工艺的改进——PECVD氮化硅钝化技术在功率管中的应用[J].电子产品可靠性与环境试验,1994,12(5):23-25.
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5李相民,王存让,程军,侯洵,刘英.PECVDSi_3N_4／InP界面特性的研究[J].光子学报,1994,23(2):139-144. 被引量：1
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6赵友洲,张萍,张礼德.光刻胶上的PECVD二氧化硅[J].微电子学与计算机,1989,6(10):4-5.
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7李继远.PECVD SiO2 用于线性IC的最终钝化[J].山东半导体技术,1993(3):15-18.
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8S.Taylor,陈凌云.等离子生长氧化硅的电性能[J].微电子学,1989,19(1):53-55.
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9高新中.反应溅射氮化硅的特性[J].山东半导体技术,1993(3):18-22.
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10蔡德水,管秀荣,李树荣,胡鸿章.Si_3N_4波导上的费涅尔透镜[J].光学学报,1989,9(10):938-943. 被引量：1
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