晶体管高阻集电区厚度的探讨
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1刘伊犁,罗晏,姬成周,李国辉.氧离子注入p型(Be)-GaAs形成高阻层的研究[J].固体电子学研究与进展,1991,11(3):235-240. 被引量：1
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2李国辉,杨茹,于民,韩卫,曾一平.InGaAs/InP中离子注入和新型HPT[J].功能材料与器件学报,2000,6(3):259-262.
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3程新利.退火对SOI材料电阻率的影响[J].苏州科技学院学报（自然科学版）,2008,25(2):6-10.
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4杨宏宇,舒世立,刘林,乔岩欣.半导体激光器模块散热特性影响因素分析[J].半导体光电,2016,37(6):770-775. 被引量：3
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5李建英,庄严,李盛涛,屠德民.SrTiO_3双功能陶瓷的表面效应[J].功能材料,1999,30(4):399-401. 被引量：15
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6李建英,李盛涛.晶界氧吸附对SrTiO_3基压敏陶瓷的作用[J].稀有金属材料与工程,2005,34(11):1730-1733. 被引量：1
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7郑振华,缪容之,陈羽.半导体陶瓷电阻率的电压效应的定量分析[J].科学通报,1993,38(20):1846-1849. 被引量：1
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8付凯,于国浩,陆敏.GaN肖特基核辐射探测器对X射线的响应时间特性研究[J].原子能科学技术,2010,44(B09):449-452. 被引量：2
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9姚宗熙,王昌铧.用EPMA研究显像管阴极基金属与涂层的界面[J].真空科学与技术,1995,15(4):221-224.
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10杜炳锐,熊俊,庞溯.大地音频测深在玉泉山区地热勘查中的应用[J].中国西部科技,2010,9(3):26-27.
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