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外推数码存贮的极限
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职称材料
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摘要
人们一直担心某些关键材料存在一个尺度障碍,将局限这类材料在超小型数码存贮部件中的应用,新的研究消除了这个担心,这类材料是所谓的“铁电体”,
出处
《物理与工程》
2004年第6期61-61,共1页
Physics and Engineering
关键词
铁电体
超小型电子技术
电子产品
极化
存贮器
分类号
TP333 [自动化与计算机技术—计算机系统结构]
TM221 [一般工业技术—材料科学与工程]
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.自然与科技,2011(6):7-7.
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阮裕尧,张华新.
机电仪典型产品用关键材料及元器件湿热、寒冷大气暴露试验研究[J]
.环境条件与试验,1991(6):4-14.
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郝俊杰,季惠明.
迅速发展的计算机存储铁电薄膜记忆材料[J]
.河北陶瓷,2000,28(2):6-9.
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岳云.
走向实用化的FeRAM[J]
.今日电子,2002(10):57-58.
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.中国安全防范认证,2014,0(6):57-62.
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.Science China(Technological Sciences),2016,59(3):513-514.
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.中国科学:技术科学,2017,47(4):402-410.
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物理与工程
2004年 第6期
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