高速沉积的α—Si:H薄膜光致变化的光电导研究

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摘要本文研究了高速生长的氢化非晶硅合金(a—Si:H)的光致亚稳变化,即 Stabler-Wrondki(S.W)效应.做了退火态(A 态)和长时间光照后的光浸态(B 态)的光电导温度曲线的测量,并利用一个较合理的缺陷态分布模型对其进行了模拟,从而发现长时间光照的主要结果是引起带隙中悬挂键的增加,带尾态的变化不明显,另外对光电导与光强的关系中的γ因子进行了计算和讨论.

作者林东晓梁少坚王洪林璇英

机构地区汕头大学物理学系

出处《汕头大学学报（自然科学版）》 1993年第1期92-96,共5页 Journal of Shantou University：Natural Science Edition

关键词非晶硅氢合金薄膜光电导 PCVD

分类号 O484.4 [理学—固体物理]

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