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ADI公司发布创新的制造工艺ICMOS

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摘要 美国模拟器件公司近日发布了一种创新的半导体制造工艺iCMOS,它是将高电压半导体工艺与亚微米CMOS和互补双极型工艺相结合,它使诸如工企自动化和过程控制等高电压应用在性能、设计和节省成本方面达到了空前的水平。与采用传统CMOS制造工艺不同,按照iCMOS工业制造工艺制造的模拟IC能承受高达30V电源电压,同时能提供突破的性能水平,降低系统设计成本,而且降低85%的功耗和减小30%的封装尺寸。
出处 《电子世界》 2005年第1期83-83,共1页 Electronics World
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