热壁低压化学汽相淀积多晶硅膜的质量分析
-
1程开富.热壁低压化学汽相淀积多晶硅膜的氧沾污分析[J].半导体技术,1995,11(3):38-40. 被引量：6
-
2徐静平,余岳辉,彭昭廉,惠东.多晶硅膜的PECVD和LPCVD原位掺杂研究[J].华中理工大学学报,1995,23(A01):199-204. 被引量：1
-
3J.C.Sturm,J.F.Gibbons,石广元.在再结晶多晶硅膜中制造合并3-D纵向双极-MOS器件[J].微电子学与计算机,1990,7(2):14-16.
-
4夏立生.利用国产设备的多晶硅膜等离子体腐蚀技术[J].微电子学,1990,20(2):52-56.
-
5彭昭廉,黄秋芝,喻建英.掺硼多晶硅的制备及其电阻率[J].半导体技术,1992,8(2):61-63. 被引量：1
-
6徐静平,余岳辉.多晶硅膜及其薄发射极退火特性的研究[J].微电子学,1994,24(2):61-65.
-
7程开富.热壁低压化学汽相淀积的安全性探讨[J].电子工业专用设备,1989(4):51-54.
-
8程开富.LPCVD多晶硅膜的制备和在硅化铂肖特基势垒红外电荷耦合器件(PtSi-SBIRCCD)中的应用[J].半导体技术,1990,6(2):23-28.
-
9贾惠蓉,张爱卿.采用不同低压化学汽相淀积压力生长的多晶硅薄膜晶体管特性[J].山东半导体技术,1994(3):42-51.
-
10徐静平,余岳辉,彭绍廉,陈涛.多晶硅膜改善薄发射区晶闸管开通特性机理分析[J].华中理工大学学报,1992,20(4):7-14.
;
