多晶硅薄膜晶体管中的高场效应

由于模拟电路和数字电路的性能强烈地依靠晶体管的输出电阻，所以这些电路的精确模拟要求准确模拟出饱和状态下的输出特性。然而，已经在薄膜晶体管中观察到逐次逼近的偏差，甚至在低于饱和泄漏电压以下。本文研究了非欧姆传导机制对输出特性的影响，通过一个用于电路模拟器的简单物理模型估算了过电流。该模型然后用于研究多晶硅薄膜晶体管中的高场效应。