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芯片多内核工艺获得巨大突破

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摘要 AMD与IBM日前共同宣布，已突破应变型硅晶(strained silicon)漏电问题，可在相同耗电量上一举提升晶体管效能24％，显示其下一代双核心及多核心架构处理器技术优势。与此同时，英特尔决定将2006年双核心处理器在桌上型计算机(DT）市场出货比重，由原先目标40％调高到70％。

出处《中国集成电路》 2005年第1期34-34,共1页 China lntegrated Circuit

关键词内核处理器 AMD 芯片计算机 IBM 英特尔突破市场调高

分类号 TN949.197 [电子电信—信号与信息处理] TP332 [自动化与计算机技术—计算机系统结构]

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中国集成电路

2005年第1期

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