锑在硫酸溶液中阳极形成膜半导体性质的研究(Ⅰ)

The study of Semiconducting Properties of the Anodic plumbous oxide Film Formed On Antimony in Solfuric Acid Solution

本工作研究了锑电极在0.9V(VS. Hg/Hg_2SO_4)分别于4.5mol/LH _2SO_4和0.05mol/LH_2SO_4+0.5mol/LNa_2SO_4溶液中,恒电位阳极成膜3小时后膜的主要组成及其生长规律以及膜的半导体性质。x射线衍射分析、线性电位扫描证实锑在上述两种溶液中阳极膜的组成不同,前者主要由Sb_2O_3和Sb_2(SO_4)_3组成,后者是Sb_2O_3。交流阻抗测量和白光电流分析,前者是一种无定形n-型半导体,后者是晶形半导体且平带电位和载流子密度分别为-0.31V(VS. Hg/Hg_2SO_4/0.05mol/LH_2SO_4)和4.0×10^(19)cm^(-3)。