期刊导航
期刊开放获取
河南省图书馆
退出
期刊文献
+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
检索
高级检索
期刊导航
SuperSo8封装中的用于高效功率转换的OptiMOS2技术
下载PDF
职称材料
导出
摘要
英飞凌开发了一种新的MOSFET系列器件,将其业界领先的OptiMOS2 30V技术放在一个高级封装概念中实现。这种与SuperS08封装结合在一起的OptiMOS2技术专用于优化要求高效的应用设计的开关性能(例如:大功率密度的直流DC/DC转换器)。
出处
《电子产品世界》
2005年第01A期i004-i004,共1页
Electronic Engineering & Product World
关键词
SuperSo8封装
英飞凌公司
功率转换
OptiMOS2
MOSFET系列器件
功能块结构图
性能特征
分类号
TN386.7 [电子电信—物理电子学]
引文网络
相关文献
节点文献
二级参考文献
0
参考文献
0
共引文献
0
同被引文献
0
引证文献
0
二级引证文献
0
1
陆楠.
低通态电阻MOSFET功率密度提高50%[J]
.电子设计技术 EDN CHINA,2008(7):34-34.
2
HP二极管激光器[J]
.集成电路应用,2007,24(11):56-56.
3
DavidSharpies.
功率半导体发展趋势[J]
.电子产品与技术,2004(8):61-63.
4
英飞凌推出全新OptiMOS 3系列,可使工业、消费类和电信应用的功率密度提高50%[J]
.电子与电脑,2008,8(6):65-65.
5
盛柏桢.
Fairchild Semiconductor的新型微型S08封装1W功放[J]
.半导体信息,2003,0(3):36-36.
6
英飞凌推出全球最低通态电阻OptiMOS 3系列[J]
.家电科技,2008(13):50-50.
7
朴慧京.
彩电开关电源主要器件及其特性(二)[J]
.家电检修技术(资料版),2011(1):56-57.
8
具有极低导通电阻的30VMOSFET[J]
.今日电子,2011(1):67-67.
9
杨建生.
满足高级封装装配的要求[J]
.半导体行业,2004(8):77-80.
10
高度紧凑的车用棚级驱动IC[J]
.今日电子,2014,0(2):67-68.
电子产品世界
2005年 第01A期
职称评审材料打包下载
相关作者
内容加载中请稍等...
相关机构
内容加载中请稍等...
相关主题
内容加载中请稍等...
浏览历史
内容加载中请稍等...
;
用户登录
登录
IP登录
使用帮助
返回顶部