期刊文献+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息

基于反射谱的GaN薄膜厚度在线测量系统 被引量：3

A New system to Measure Film Thickness of GaN Online
下载PDF
导出
摘要 针对Si衬底不透明而无法采用透射谱测量GaN薄膜厚度问题,应用反射谱测量,同时结合晶体薄膜的干涉效应原理,并考虑到晶体折射率随光子能量变化的因素,从理论上推导出了实用的薄膜厚度计算方法,从而得到实现材料特性的方便表征和MOCVD设备的在线薄膜厚度测量的新途径。 For the transmission spectra can not measure film thickness of GaN on Si which is opaque, A mothod using reflection spectra is given .the method uses the interference effect of the crystal film and considers the effect of the refractive index n on the photon wavelength,the result of compute simulation shows that the method is a rapid and precise one for measuring the film thickness of GaN crystals.
作者 张永刚
机构地区 西安电子科技大学微电子研究所
出处 《电子质量》 2004年第12期56-57,共2页 Electronics Quality
关键词 反射谱 GAN薄膜 MOCVD SI衬底 晶体薄膜 干涉效应 透射谱 薄膜厚度 光子能量 折射率 GaN Si substrate reflection spectra thickness measurement
分类号 TN407 [电子电信—微电子学与固体电子学]
  • 相关文献

参考文献6

二级参考文献46

  • 1[1]Ponce F A, Cherns D, Young W T, Steeds J W. Appl Phys Lett,1996,69:770.
  • 2[2]Wu X H, Borwn L M, Kapolnek D, Keller S, Keller B, DenBaars S P,Speck J S. J Appl Phys,1996,80:3228.
  • 3[3]Potin V, Puterana P, Nouet G, Pond R C, Morkoc H. Phys Rev B,2000,61:5587.
  • 4[4]Holt D B. J Mater Sci,1984,19:439.
  • 5[1]Nikishin S A, Kaleev N N, Antipov V G, et al. High qulity GaN grown on Si(111) by gas source molecular beam epitaxy with anmonia[J]. Appl. Phys. Lett, 1999, 75:2073.
  • 6[2]Strittmatter A, Bimberg D, Krost A, et al. Structural investigation of GaN layers grown on Si(111) substrates using a nitridated AlAs buffer layer[J]. J. of Crystal Growth, 2000, 221:293.
  • 7[3]Yang J W, Sun C J, ChEn Q, et al. High qulity GaN-InGaN heterostructures grown on (111) silicon substrutes[J]. Appl. Phys. Lett, 1996, 69:3566.
  • 8[4]Wang L S, Liu X L, Wang Z G, et al. Wurtzite GaN epitaxial growth on a Si(001) substrate using γ-Al2O3 as an intermediate layer[J]. Appl. Phys. Lett, 1998, 72:109.
  • 9[5]Shen B, Zhou Y G, Chen Z Z, et al. Grouwth of wurtzite GaN films on α-Al2O3 substrates using light-radiation heating metal-organic chemical vapor deposition[J]. Appl. Phys. A, 1999,68:593.
  • 10[6]Wu J H, Wu X L, Bao X M, et al. Strong ultraviolet and violet photoluminescence from Si-based anodic porous alumina films[J]. Appl. Phys. A, 2001, 72:735.

共引文献45

同被引文献23

  • 1王海华,宋蕾.基于CPLD的步进电机控制器设计[J].微计算机信息,2008,24(10):99-100. 被引量：6
  • 2郜小勇,赵剑涛,刘绪伟.蓝宝石衬底上GaN薄膜的结构和光学特性表征[J].人工晶体学报,2006,35(5):1071-1074. 被引量：3
  • 3Nakamura, TMukai, M.Seno, Jpn.J.Appl.Phys30 (1991) L 1998
  • 4S.Nakamura, M.Seno, T.Mukai, Appl.Phys.Lett.62 (1993) 2390
  • 5Terada S, Murakami H, Nishihagi K, et al. Thickness and Density Measurement for New Materials with combined Xray Technique (ASMC) [ C ]. Institute of Electrical and Electronics Engineers :America, 1999.
  • 6Mandy M Y L, Aleksandra B D, Herbert E L. Refractive index of InGaN/GaN quantumwell [J]. J Appl Phys, 1998, 84:6312-6317.
  • 7Wright A F, Nelson J S. Bowing parameters for zinc-blende All-xGaxN and Gal-xlnxN [ J]. Appl Phys Lett, 1995,66: 3051-3054.
  • 8Shaffer P T B. Refractive index, dispersion, and birefringence of silicon carbide polytypes [ J ]. Applied Optics, 1971,10 : 1034-1036.
  • 9Yu G, Wang G, Ishikawa H, et al. Optical properties of wurtzite structure GaN on sapphire around fundamental absorption edge (0.78-4.77eV) by spectroscopic ellipsometry and the optical transmission method [ J ]. Appl Phys Lett, 1997,70 : 3209-3212.
  • 10Feng G, Zhu J J, Shen X M, et al. Thickness measurement of gaN epilayer using high resolution X-ray diffraction technique[ J]. Science in China( Series G) ,2003,46:437- 440.

引证文献3

二级引证文献4

电子质量
2004年 第12期

相关作者

内容加载中请稍等...

相关机构

内容加载中请稍等...

相关主题

内容加载中请稍等...

浏览历史

内容加载中请稍等...
;
使用帮助 返回顶部