SiC／SiO2超晶格的蓝光发射研究

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摘要利用RF共溅射的方法，制备了SiC／SiO2多层膜，测量了样品的光致发光(PL)谱和光激发(PLE)谱，并观察到室温下的蓝光发射现象。改变势阱层的厚度，观察430nm的蓝光峰的蓝移现象。我们又进行了光致发光峰(PL)在外加偏压前后情况的测试。样品在加上10伏(电流为0．5mA)偏压后，发光峰有明显的蓝移和加强现象，通过测量PLE谱，认为样品在加偏压后引起自由激子的辐射复合使发光峰发生蓝移。

作者张静姜岩峰刘文楷刘雪芹王印月

机构地区北方工业大学信息工程学院兰州大学物理系

出处《纳米科技》 2004年第6期58-60,64,共4页

关键词 SiC/SiO2 超晶格蓝光发射光致发光峰

分类号 TB383 [一般工业技术—材料科学与工程]

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