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GaN基紫外光探测器的研究进展 被引量：1

Research Progress in GaN-Based Semiconductor UV Detectors
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摘要 相对于其他类型的探测器,GaN基紫外光探测器具有很多优点。本文主要介绍了近几年GaN 基紫外光探测器的发展,并对各种结构形式进行了比较。 Contrasting to other kinds of ultraviolet detector, GaN based ultraviolet detector has many advantages.This article aims to give a detailed introduction of photoconductive , photovoltage, MSM structure and other types of ultraviolet GaN detector.We also compared the characteristics of the various photodetector structures developed to date.
作者 刘云燕 袁玉珍
机构地区 山东理工大学物理系
出处 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2005年第2期25-29,共5页 Semiconductor Technology
关键词 GAN 紫外探测器 光电导 光伏 MSM GaN UV detector photoconductive photovoltage MSM
分类号 TP273 [自动化与计算机技术—检测技术与自动化装置]
  • 相关文献

参考文献13

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同被引文献2

引证文献1

二级引证文献1

半导体技术
2005年 第2期

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